Attēls:Npn BJT cross section.PNG

Lapas saturs netiek atbalstīts citās valodās.
Vikipēdijas lapa

Npn_BJT_cross_section.PNG ‎(455 × 188 pikseļi, faila izmērs: 8 KB, MIME tips: image/png)

Kopsavilkums

Apraksts Simplified cross section of a planar npn Bipolar junction transistor showing the emitter, base and colector contacts and the respective regions with the silicon doping type.
Datums 2006. gada 15. februāris (original upload date)
Avots Transferred from en.wikipedia to Commons.
Autors Mário at angļu Vikipēdija

Npn bjt cross section.svg

File:Npn bjt cross section.svg is a vector version of this file. It should be used in place of this PNG file when not inferior.
File:Npn BJT cross section.PNG → File:Npn bjt cross section.svg
For more information, see Help:SVG.
In other languages
Alemannisch ∙ Bahasa Indonesia ∙ Bahasa Melayu ∙ British English ∙ català ∙ čeština ∙ dansk ∙ Deutsch ∙ eesti ∙ English ∙ español ∙ Esperanto ∙ euskara ∙ français ∙ Frysk ∙ galego ∙ hrvatski ∙ Ido ∙ italiano ∙ lietuvių ∙ magyar ∙ Nederlands ∙ norsk bokmål ∙ norsk nynorsk ∙ occitan ∙ Plattdüütsch ∙ polski ∙ português ∙ português do Brasil ∙ română ∙ Scots ∙ sicilianu ∙ slovenčina ∙ slovenščina ∙ suomi ∙ svenska ∙ Tiếng Việt ∙ Türkçe ∙ vèneto ∙ Ελληνικά ∙ беларуская (тарашкевіца) ∙ български ∙ македонски ∙ нохчийн ∙ русский ∙ српски / srpski ∙ татарча/tatarça ∙ українська ∙ ქართული ∙ հայերեն ∙ বাংলা ∙ தமிழ் ∙ മലയാളം ∙ ไทย ∙ 한국어 ∙ 日本語 ∙ 简体中文 ∙ 繁體中文 ∙ עברית ∙ العربية ∙ فارسی ∙ +/−
New SVG image

Licence

Public domain This work has been released into the public domain by its author, Mário at angļu Vikipēdija. This applies worldwide.
In some countries this may not be legally possible; if so:
Mário grants anyone the right to use this work for any purpose, without any conditions, unless such conditions are required by law.

Original upload log

The original description page was here. All following user names refer to en.wikipedia.
  • 2006-02-15 21:50 Mário 455×188×8 (8353 bytes) Simplified cross section of a ''npn'' Bipolar junction transistor showing the emitter, base and colector contacts and the respective regions with the silicon doping type.

Captions

Pievieno vienas rindiņas aprakstu, ko šis fails attēlo

Šajā failā attēlotais

attēlo

izveides datums

15 februāris 2006

Faila hronoloģija

Uzklikšķini uz datums/laiks kolonnā esošās saites, lai apskatītos, kā šis fails izskatījās tad.

Datums/LaiksAttēlsIzmēriDalībnieksKomentārs
tagadējais2010. gada 26. februāris, plkst. 09.462010. gada 26. februāris, plkst. 09.46 versijas sīktēls455 × 188 (8 KB)StaalebkReverted to version as of 20:37, 15 September 2007, since the vector-version was corrupt.
2009. gada 9. novembris, plkst. 20.212009. gada 9. novembris, plkst. 20.21 versijas sīktēls455 × 188 (13 KB)ArticCyndaConverted to Vector format
2007. gada 15. septembris, plkst. 23.372007. gada 15. septembris, plkst. 23.37 versijas sīktēls455 × 188 (8 KB)Kved{{Information |Description=Simplified cross section of a planar ''npn'' Bipolar junction transistor showing the emitter, base and colector contacts and the respective regions with the silicon doping type. |Source=Originally from

Šo failu izmanto šajā 1 lapā:

Globālais faila lietojums

Saturs iegūts no "https://lv.wikipedia.org/wiki/Attēls:Npn_BJT_cross_section.PNG"