Šotkija diode

Vikipēdijas lapa
Pārlēkt uz: navigācija, meklēt
Šotkija diode
Schottky.jpg
Schottky
Dažādas Šotkija pārejas diodes: Maza signāla RF diodes (pa kreisi), vidējas un lielas jaudas Šotkija taisngrieža diodes (vidū un pa labi).
Tips Pasīvs
Izgudroja Walter H. Schottky
Izvadu konfigurācija anods un katods

Šotkija diode (nosaukta vācu fiziķa Valtera Šotkija vārdā) - pusvadītāju diode ar mazu sprieguma kritumu tiešajā slēgumā (parastajām silīcija diodēm 0,6 - 0,7 V; Šotkija diodēm - 0,15 līdz 0,45 V).

Konstrukcija[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Šotkija diodei viens elektrods ir metāls, bet otrs n tipa pusvadītājs. Elektroni uzlādē metālisko slāni, tādēļ diodē ir mazāks sprieguma kritums, nekā uz parastām diodēm. Tā kā diodei nav elektronu un caurumu rekombinācijas, tā strādā ātrāk par citām diodēm.

Trūkumi[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Būtiskākais trūkums ir relatīvi zems reversā sprieguma kritums silīcija-metāla Šotkija diodēm, tipiski 50 - 200 V, un relatīvi augsta reversā noplūdes strāva palielinās palielinoties temperatūrai.

Silīcija karbīda Šotkija diodes[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Diodes konstrukcijā izmantojot silīcija karbīdu samazina reverso noplūdes strāvu un tipiski augsts sprieguma kritums 600 - 1700 V salīdzinājumā ar silīcija diodēm. Silīcija karbīds ir labāks siltum vadītspēja līdz ar to tās spēj darboties temperatūrā līdz 200 °C.