Ganna diode

Vikipēdijas raksts
Pārlēkt uz: navigācija, meklēt
Ganna diodes voltampēru raksturlīkne ar negatīvas pretestības apgabalu

Ganna diode ir pusvadītāju diodes tips, ko lieto SAF diapazona radioviļņu (mikroviļņu) iegūšanai un pārveidošanai. Šīs diodes atšķiras no citām ar to, ka tām nav p-n pārejas - Ganna diodēs izmanto augstfrekvences svārstību ģenerācijas efektu, pieliekot speciālam pusvadītāju materiālam līdzspriegumu. To sauc atklājēja amerikāņu fiziķa Džona Batiskomba Ganna (John Battiscombe Gunn) vārdā par Ganna efektu. Ganna efekta cēlonis ir elektronu periodiska paātrināšanās un bremzēšanās, ja pusvadītāja kristālā rada pietiekami spēcīgu elektrisko lauku.[1]

Shematisks Ganna ģeneratora attēls

Džons Ganns izgatavoja šo diodi 1963. gadā. Parasti tā sastāv no gallija arsenīda (GaAs) slāņa biezumā no dažiem mikroniem līdz dažiem simtiem mikronu, kam abās pusēs izveidoti kontakti. Var izmantot arī indija fosfīdu (InP) vai kadmija telurīdu (CdTe). Ganna diodes no indija fosfīda spēj ģenerēt pat 170 GHz lielu frekvenci.

Ganna diodes ģenerācijas frekvence atkarīga no pusvadītāja slāņa biezuma, bet to var mainīt, ievietojot diodi dobumrezonatorā. Radušās SAF svārstības novada ar viļņvada palīdzību. Šādas ierīces dēvē par Ganna ģeneratoriem.


Atsauces[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

  1. Zinātnes un tehnoloģijas vārdnīca, Norden AB, 2001, 233.lpp.