Šotkija diode

Vikipēdijas lapa
Pārlēkt uz: navigācija, meklēt
Šotkija diode
Schottky.jpg
Dažādas Šotkija pārejas diodes: maza signāla RF diodes (pa kreisi), vidējas un lielas jaudas Šotkija taisngrieža diodes (vidū un pa labi)
Tips pasīvs
Izgudroja Valters Šotkijs
Izvadu konfigurācija anods un katods

Šotkija diode (nosaukta vācu fiziķa Valtera Šotkija vārdā) ir pusvadītāju diode ar mazu sprieguma kritumu tiešajā slēgumā (parastajām silīcija diodēm 0,6—0,7 V; Šotkija diodēm — 0,15 līdz 0,45 V).

Konstrukcija[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Šotkija diodei viens elektrods ir metāls, bet otrs n tipa pusvadītājs. Elektroni uzlādē metālisko slāni, tādēļ diodē ir mazāks sprieguma kritums, nekā uz parastām diodēm. Tā kā diodei nav elektronu un caurumu rekombinācijas, tā strādā ātrāk par citām diodēm.

Trūkumi[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Būtiskākais trūkums ir relatīvi zems sprostspriegums silīcija-metāla Šotkija diodēm, tipiski 50—200 V, un relatīvi augsta reversā noplūdes strāva, kas palielinās, palielinoties temperatūrai.

Silīcija karbīda Šotkija diodes[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Diodes konstrukcijā izmantojot silīcija karbīdu, samazinās reversā noplūdes strāva. Šādām diodēm ir tipiski augsts sprostspriegums (600—1700 V) salīdzinājumā ar silīcija diodēm. Silīcija karbīdam ir labāka siltumvadītspēja, līdz ar to diodes no tā spēj darboties temperatūrā līdz 200 °C.