Gaismas diode
- «LED» pāradresējas uz šejieni.
 Zila, zaļa, un sarkana LED iekš 5 mm ietvarā | |
| Darbības princips | Elektroluminiscence |
|---|---|
| Izgudrots |
H. J. Round (1907)[1] Oleg Losev (1927)[2] James R. Biard (1961)[3] Nick Holonyak (1962)[4] |
| Pirmo reizi ražots | 1962. oktobris |
| Pinu konfigurācija | Anods un katods |
| Elektroniskais simbols | |
 | |
Gaismas diode[5] ir pusvadītāju diode, kuras p-n pāreja vadāmības virzienā plūstošas strāvas ietekmē spīd, izstarojot redzamā vai neredzamā spektra gaismu. Gaismas diodes mēdz saukt arī par mirdzdiodēm, vai LED (angļu: light-emitting diode).
Darbības princips
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Vadāmības virzienā pieslēgta sprieguma ietekmē pārpalikuma lādiņi elektroni no elektronu vadītspējas (n tipa) pusvadītāja cauri p-n pārejai difundē caurumu vadītspējas (p tipa) pusvadītājā, kur tie rekombinējas ar caurumiem. Rekombinējoties elektroni pāriet no vadītspējas zonas valences zonā, tātad no augstāka enerģijas līmeņa zemākā. Šīs pārejas rezultātā atbrīvojas enerģija, kura daļēji pārvēršas siltumā un daļēji tiek izstarota fotonu veidā. Izstarotās gaismas viļņa garums ir atkarīgs no pusvadītāja kristālrežģa aizliegtās zonas platuma.
Īpašības
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Spektrālās īpašības
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Atšķirībā no kvēlspuldzēm gaismas diodes neizstaro siltumu. Tādēļ gaismas diodēm ir ļoti augsts lietderības koeficients. To starojums ir ļoti šaurā spektrā, monohromatisks. Ilgu laiku bija problemātiski iegūt diodes visām pamatgaismām, tikai 1990. gados parādījās lētas zilās gaismas diodes.
Virziendarbība
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Gaismas diodēm raksturīgs vērsts starojums.
Plakana pusvadītāja virsma gaismu izstaro perpendikulāri virsmai un tikai nedaudz sāņus. Vērstā starojuma dēļ ir nedaudz apgrūtināta diožu izmantošana difūza apgaismojuma iegūšanai.
Elektriskās īpašības
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Pēc elektriskajām īpašībām gaismas diodes ir līdzīgas parastajām diodēm, taču pusvadītāja materiāla izvēle nosaka lielāku sprieguma kritumu vadāmības virzienā (atvēršanās spriegums). Atvērtas diodes diferenciālā pretestība ir ļoti maza, savukārt mirdzēšanas stiprums ir atkarīgs no caurplūstošās strāvas, tādēļ gaismas diodes ieteicams barot no strāvas avota.
Darbības ātrums
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Gaismas diodēm piemīt pavisam neliela spīdēšanas inerce, tāpēc tās var izmantot dažādu stroboskopisku efektu iegūšanai (dinamiskā indikācija).
Mirdzēšanas krāsa, sprieguma kritums un izgatavošanas materiāls
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]| Krāsa | Viļņa garums [nm] | Sprieguma kritums [ΔV] | Pusvadītāja materiāls | |
|---|---|---|---|---|
| Infrasarkana | λ > 760 | ΔV < 1.63 | Gallija arsenīds (GaAs) Alumīnija gallija arsenīds (AlGaAs) | |
| Sarkana | 610 < λ < 760 | 1.63 < ΔV < 2.03 | Alumīnija gallija arsenīds (AlGaAs) Gallija arsenīda fosfīds (GaAsP) Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP) Gallija(III) fosfīds (GaP) | |
| Oranža | 590 < λ < 610 | 2.03 < ΔV < 2.10 | Gallija arsenīda fosfīds (GaAsP) Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP) Gallija(III) fosfīds (GaP) | |
| Dzeltena | 570 < λ < 590 | 2.10 < ΔV < 2.18 | Gallija arsenīda fosfīds (GaAsP) Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP) Gallija(III) fosfīds (GaP) | |
| Zaļa | 500 < λ < 570 | 1.9[6] < ΔV < 4.0 | Indija gallija nitrīds (InGaN) / Gallija(III) nitrīds (GaN) Gallija(III) fosfīds (GaP) Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP) Alumīnija gallija fosfīds (AlGaP) | |
| Zila | 450 < λ < 500 | 2.48 < ΔV < 3.7 | Cinka selenīds (ZnSe) Indija gallija nitrīds (InGaN) Silīcija karbīds (SiC) kā substrāts Silīcijs (Si) kā substrāts — izstrādes stadijā | |
| Violeta | 400 < λ < 450 | 2.76 < ΔV < 4.0 | Indija gallija nitrīds (InGaN) | |
| Purpura | jauktais spektrs | 2.48 < ΔV < 3.7 | divas diodes zila un sarkana, zila ar sarkanu luminoforu, vai balta ar purpura plastmasas korpusu | |
| Ultravioleta | λ < 400 | 3.1 < ΔV < 4.4 | Dimants (235 nm)[7] Bora nitrīds (215 nm)[8][9] Alumīnija nitrīds (AlN) (210 nm)[10] Alumīnija gallija nitrīds (AlGaN) Alumīnija gallija indija nitrīds (AlGaInN) — līdz 210 nm[11] | |
| Rozā | jauktais spektrs | ΔV ~ 3.3[12] | Zila diode ar vienu vai diviem luminofora slāņiem, dzeltena ar oranžu vai rozā luminoforu, vai balta ar rozā pigmentu.[13] | |
| Balta | plašs spektrs | ΔV = 3.5 | Zila vai ultravioleta diode ar dzeltenu luminoforu |
Izmantošana
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Mirdzdiodes izmanto
- Informācijas atspoguļošanai, gan kā atsevišķas diodes, gan kā diožu matricas.
- Informācijas iegūšanai, piemēram skeneros
- Elektriskās atsaistes izveidošanai, optronu sastāvā
- Apgaismošanai
-
Mirdzdiodes izmantotas gan vagona apgaismojumam, gan informācijas tablo. -
Mirdzdiožu luksofors. -
Audi dienas gaitas apgaismojums. -
modernā gaismas diožu spuldze ar standarta E27 cokolu.
Skatīt arī
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]Atsauces
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]- ↑ «HJ Round was a pioneer in the development of the LED». www.myledpassion.com. Arhivēts no oriģināla, laiks: 2020. gada 28. oktobrī. Skatīts: 2020. gada 20. decembrī.
- ↑ «The life and times of the LED — a 100-year history». The Optoelectronics Research Centre, University of Southampton. April 2007. Arhivēts no oriģināla, laiks: 2012. gada 15. septembris. Skatīts: 2012. gada 4. septembris. Ignorēts nezināms parametrs
|df= - ↑ US Patent 3293513, "Semiconductor Radiant Diode", James R. Biard and Gary Pittman, Filed on Aug. 8th, 1962, Issued on Dec. 20th, 1966.
- ↑ «Inventor of Long-Lasting, Low-Heat Light Source Awarded $500,000 Lemelson-MIT Prize for Invention». Washington, D.C. Massachusetts Institute of Technology. 2004. gada 21. aprīlis. Arhivēts no oriģināla, laiks: 2011. gada 9. oktobris. Skatīts: 2011. gada 21. decembris.
- ↑ Akadēmiskā terminu datubāze AkadTerm
- ↑ OSRAM: green LED Arhivēts 2011. gada 21. jūlijā, Wayback Machine vietnē.. (PDF). Retrieved on 2012-03-16.
- ↑ Koizumi, S.; Watanabe, K; Hasegawa, M; Kanda, H (2001). "Ultraviolet Emission from a Diamond pn Junction". Science 292 (5523): 1899–1901. doi:10.1126/science.1060258. PMID 11397942.
- ↑ Kubota, Y.; Watanabe, K.; Tsuda, O.; Taniguchi, T. (2007). "Deep Ultraviolet Light-Emitting Hexagonal Boron Nitride Synthesized at Atmospheric Pressure". Science 317 (5840): 932–934. doi:10.1126/science.1144216. PMID 17702939.
- ↑ Watanabe, Kenji; Taniguchi, Takashi; Kanda, Hisao (2004). "Direct-bandgap properties and evidence for ultraviolet lasing of hexagonal boron nitride single crystal". Nature Materials 3 (6): 404–409. doi:10.1038/nmat1134. PMID 15156198.
- ↑ Taniyasu, Yoshitaka; Kasu, Makoto; Makimoto, Toshiki (2006). "An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres". Nature 441 (7091): 325–328. doi:10.1038/nature04760. PMID 16710416.
- ↑ «LEDs move into the ultraviolet». physicsworld.com. 2006. gada 17. maijs. Arhivēts no oriģināla, laiks: 2012-03-29. Skatīts: 2007-08-13.
- ↑ How to Wire/Connect LEDs Arhivēts 2012. gada 2. martā, Wayback Machine vietnē.. Llamma.com. Retrieved on 2012-03-16.
- ↑ LED types by Color, Brightness, and Chemistry. Donklipstein.com. Retrieved on 2012-03-16.
Ārējās saites
[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]
Vikikrātuvē par šo tēmu ir pieejami multivides faili. Skatīt: Gaismas diode.
- Encyclopædia Britannica raksts (angliski)
|