Viljams Šoklijs

Vikipēdijas raksts
Pārlēkt uz: navigācija, meklēt
Viljams Šoklijs
William Shockley
Viljams Šoklijs 1975. gadā
Viljams Šoklijs 1975. gadā
Personīgā informācija
Dzimis 1910. gada 13. februārī
Londona, Karogs: Apvienotā Karaliste Apvienotā Karaliste
Miris 1989. gada 12. augustā (79 gadi)
Stenforda, Kalifornija, Karogs: Amerikas Savienotās Valstis ASV
Pilsonība Karogs: Amerikas Savienotās Valstis ASV
Zinātniskā darbība
Zinātne fizika
Darba vietas Bell Labs
Shockley Semiconductor Laboratory
Stenforda universitāte
Alma mater Masačūsetsas Tehnoloģiju institūts
Kalifornijas Tehnoloģiju institūts
Pasniedzēji Džons Sleiters
Sasniegumi, atklājumi Punktveida kontakta tranzistors
Bipolārais tranzistors
Šoklija diodes vienādojums
Apbalvojumi 1956. gada Nobela prēmija fizikā

Viljams Šoklijs (angļu: William Shockley, dzimis 1910. gada 13. decembrī, miris 1989. gada 12. augustā) bija ASV fiziķis un izgudrotājs. Viņš 1956. gadā kopā ar Džonu Bardīnu un Volteru Brateinu saņēma Nobela prēmiju fizikā par tranzistora izgudrošanu.[1]

1954. gadā Šoklijs izveidoja pusvadītāju ražotni, strādāja pie jaunu tranzistoru izstrādes komercializācijas. Vēlāk daži no viņa darbiniekiem paši izveidoja savus uzņēmumus. Līdz ar to sākās Silīcija ielejas veidošanās. Vairāk kā 50 Šoklija izgudrojumi patentēti ASV.

1958. gadā Šoklijs sāka strādāt Stenforda universitātē. Vēlāk viņš kļuva par aktīvu eugenikas teorijas atbalstītāju.[2]

Atsauces[izmainīt šo sadaļu | labot pirmkodu]

Ārējās saites[izmainīt šo sadaļu | labot pirmkodu]



Apbalvojumi
Priekštecis:
Viliss Lems
Polikarps Kušs
Nobela prēmija fizikā
1956.
kopā ar Volteru Brateinu un Džonu Bardīnu
Pēctecis:
Li Džendao
Jans Džeņnins