Viljams Šoklijs

Vikipēdijas lapa
Jump to navigation Jump to search
Viljams Šoklijs
William Bradford Shockley Jr.
Viljams Šoklijs 1975. gadā
Viljams Šoklijs 1975. gadā
Personīgā informācija
Dzimis 1910. gada 13. februārī
Londona, Karogs: Apvienotā Karaliste Apvienotā Karaliste
Miris 1989. gada 12. augustā (79 gadi)
Stenforda, Kalifornija, Karogs: Amerikas Savienotās Valstis ASV
Pilsonība Karogs: Amerikas Savienotās Valstis ASV
Zinātniskā darbība
Zinātne fizika
Darba vietas Bell Labs
Shockley Semiconductor Laboratory
Stenforda Universitāte
Alma mater Masačūsetsas Tehnoloģiju institūts
Kalifornijas Tehnoloģiju institūts
Pasniedzēji Džons Sleiters
Sasniegumi, atklājumi
  • Punktveida kontakta tranzistors un GJT tranzistors (Grown-junction transistor)
  • Diffused-base transistor
  • Heterojunction bipolar transistor
  • Tiristors
  • BARITT diode
  • Šoklija diode
  • P-N pārejas teorija
  • Bipolārā tranzistora (BJT) teorija
  • Lauka-efekta tranzistora (FET) teorija
  • Deathnium
  • Deep-level trap
  • Empty lattice approximation
  • Gradual channel approximation
  • Lucky electron model
  • Hot electron theory (Hot electron injection)
  • Channel length modulation
  • Process variation
  • Ion implantation
  • Low-level injection
  • Through-silicon via (TSV)
  • Transmission line measurement
  • Šoklija diodes vienādojums
  • Shockley-Read-Hall recombination (Carrier generation and recombination)
  • Shockley partials (Partial dislocation)
  • Shockley–Ramo theorem
  • Shockley states (Surface states)
  • Shockley–Queisser limit
  • Haynes-Shockley experiment
  • Read-Shockley equation (Grain boundary - Boundary energy)
  • Van Roosbroeck-Shockley equation (Reciprocitāte (optoelektronikā))
Apbalvojumi

Viljams Šoklijs (angļu: William Bradford Shockley Jr., dzimis 1910. gada 13. februārī, miris 1989. gada 12. augustā) bija ASV fiziķis un izgudrotājs. 1956. gadā Šoklijam kopā ar Džonu Bardīnu un Volteru Brateinu tika piešķirta Nobela prēmija fizikā par viņu pusvadītāju pētījumiem un tranzistora efekta atklāšanu.[1]

Biogrāfija[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Kopš 1945. gada Šoklijs bija Bell Labs izpētes grupas vadītājs, kurā bija Džons Bardīns un Volters Brateins. Pēc Bell Labs izpētes grupas izjukšanas, 1956. gadā Šoklijs pārvācās no Ņūdžersijas uz Kaliforniju, kur izveidoja savu pusvadītāju ražotni Shockley Semiconductor Laboratory, kur viņš strādāja pie jaunu tranzistoru izstrādes komercializācijas. Šoklija uzņēmums, kas bija Beckman Instruments, Inc. nodaļa, bija pirmais tāda tipa uzņēmums, kas strādāja ar pusvadītāju ierīcēm tā sauktajā Silīcija ielejā. Vēlāk daži no viņa darbiniekiem paši izveidoja savus uzņēmumus.

Džons Bardīns, Viljams Šoklijs un Volters Brateins Bell Labs, 1948. gads

Daļēji pateicoties Šoklija mēģinājumiem komercializēt jaunu tranzistora dizainu 20. gadsimta piecdesmitajos un sešdesmitajos gados, Kalifornijas Silīcija ieleja kļuva par elektronikas inovāciju rašanās vietu. Savā turpmākajā dzīvē, no 1958. gada Šoklijs bija Stenfordas universitātes elektroinženierijas profesors, kur viņš arī kļuva par aktīvu eigēnikas teorijas atbalstītāju.[2]

ASV patentēti vairāk nekā 90 Šoklija izgudrojumi.

Patenti[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Šoklijam ir vairāk nekā 90 ASV patentu.[3] Daži no nozīmīgākajiem:

Nosaukums Piezīmes
US 2502488  Semiconductor Amplifier Apr. 4, 1950; Šoklija pirmais patents saistīts ar tranzistoriem.
US 2569347  Circuit element utilizing semiconductive material Sept. 25, 1951; Viņa agrākais ar tranzistoriem saistītais pieteikums (1948. gada 26. jūnijs).
US 2655609  Bistable Circuits Okt. 13, 1953; Izmantots datoros.
US 2787564  Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment Apr. 2, 1957; Difūzijas process piemaisījumu implantēšanai.
US 3031275  Process for Growing Single Crystals Apr. 24, 1962; Uzlabojumi pamatmateriālu ražošanas procesā.
US 3053635  Method of Growing Silicon Carbide Crystals Sept. 11, 1962; Citu pusvadītāju izpēte.

Bibliogrāfija[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Šoklija pirmskara zinātniskie raksti[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

  • An Electron Microscope for Filaments: Emission and Adsorption by Tungsten Single Crystals, R. P. Johnson and W. Shockley, Phys. Rev. 49, 436–440 (1936) doi:10.1103/PhysRev.49.436
  • Optical Absorption by the Alkali Halides, J. C. Slater and W. Shockley, Phys. Rev. 50, 705–719 (1936) doi:10.1103/PhysRev.50.705
  • Electronic Energy Bands in Sodium Chloride, William Shockley, Phys. Rev. 50, 754–759 (1936) doi:10.1103/PhysRev.50.754
  • The Empty Lattice Test of the Cellular Method in Solids, W. Shockley, Phys. Rev. 52, 866–872 (1937) doi:10.1103/PhysRev.52.866
  • On the Surface States Associated with a Periodic Potential, William Shockley, Phys. Rev. 56, 317–323 (1939) doi:10.1103/PhysRev.56.317
  • The Self-Diffusion of Copper, J. Steigman, W. Shockley and F. C. Nix, Phys. Rev. 56, 13–21 (1939) doi:10.1103/PhysRev.56.13

Šoklija pēckara raksti[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Grāmatas[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Atsauces[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

  1. «The Nobel Prize in Physics 1956». Nobel Foundation.
  2. «William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race». New York Times.
  3. «Google Patents assignee:(Shockley William)». patents.google.com. Skatīts: 2020-12-12. Ignorēts nezināms parametrs |url-status=
  4. Shockley, William (1971). "Models, Mathematics, and the Moral Obligation to Diagnose the Origin of Negro IQ Deficits". Review of Educational Research 41 (4): 369–377. doi:10.2307/1169443. ISSN 0034-6543.
  5. Shockley, William (1971). "Negro IQ Deficit: Failure of a "Malicious Coincidence" Model Warrants New Research Proposals". Review of Educational Research 41 (3): 227–248. doi:10.2307/1169529. ISSN 0034-6543.
  6. Shockley, Wiliam; Shockley, William (1972). "Dysgenics, Geneticity, Raceology: A Chalenge to the Intelectual Responsibility of Educators". The Phi Delta Kappan 53 (5): 297–307. ISSN 0031-7217.
  7. Shockley, William (1972). "A Debate Challenge: Geneticity Is 80% for White Identical Twins' I.Q.'s". The Phi Delta Kappan 53 (7): 415–419. ISSN 0031-7217.
  8. Shockley, William (1973). "Deviations from Hardy-Weinberg Frequencies Caused by Assortative Mating in Hybrid Populations". Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America 70 (3): 732–736. ISSN 0027-8424.

Ārējās saites[labot šo sadaļu | labot pirmkodu]

Apbalvojumi
Priekštecis:
Viliss Lems
Polikarps Kušs
Nobela prēmija fizikā
1956.
kopā ar Volteru Brateinu un Džonu Bardīnu
Pēctecis:
Li Džendao
Jans Džeņnins